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P4C1981-25LM

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
产品类别存储    存储   
文件大小95KB,共10页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C1981-25LM概述

Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28

P4C1981-25LM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码QLCC
包装说明QCCN, LCC28,.35X.55
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
其他特性INPUT DATA AT OUTPUTS DURING WRITE
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CQCC-N28
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.35X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.905 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.89 mm
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