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2N1671A

产品描述Unijunction Transistor, 25uA I(P),
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小343KB,共3页
制造商Semitronics Corp
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2N1671A概述

Unijunction Transistor, 25uA I(P),

2N1671A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置NOT SPECIFIED
最大发射极电流50 mA
最大基极间电压35 V
最大本征偏离比0.62
最小本征偏离比0.47
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度140 °C
最低工作温度-65 °C
最大峰点电流25 mA
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)0.45 W
认证状态Not Qualified
最大基极间静态电阻9.1 kΩ
最小基极间静态电阻4.7 kΩ
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最小谷点电流8 mA
Base Number Matches1

2N1671A相似产品对比

2N1671A 2N491B 2N490 2N494
描述 Unijunction Transistor, 25uA I(P), Unijunction Transistor, 6uA I(P), Unijunction Transistor, 12uA I(P), Unijunction Transistor, 12uA I(P),
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknown
配置 NOT SPECIFIED SINGLE SINGLE NOT SPECIFIED
最大发射极电流 50 mA 70 mA 70 mA 70 mA
最大基极间电压 35 V 65 V 65 V 65 V
最大本征偏离比 0.62 0.68 0.62 0.75
最小本征偏离比 0.47 0.56 0.51 0.62
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大峰点电流 25 mA 6 mA 12 mA 12 mA
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs) 0.45 W 0.45 W 0.45 W 0.45 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大基极间静态电阻 9.1 kΩ 6.8 kΩ 9.1 kΩ 9.1 kΩ
最小基极间静态电阻 4.7 kΩ 4.7 kΩ 6.2 kΩ 6.2 kΩ
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最小谷点电流 8 mA 8 mA 11 mA 12 mA
Base Number Matches 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 -
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