Unijunction Transistor, 25uA I(P),
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | NOT SPECIFIED |
最大发射极电流 | 50 mA |
最大基极间电压 | 35 V |
最大本征偏离比 | 0.62 |
最小本征偏离比 | 0.47 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 140 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大峰点电流 | 25 mA |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | 0.45 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大基极间静态电阻 | 9.1 kΩ |
最小基极间静态电阻 | 4.7 kΩ |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
最小谷点电流 | 8 mA |
Base Number Matches | 1 |
2N1671A | 2N491B | 2N490 | 2N494 | |
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描述 | Unijunction Transistor, 25uA I(P), | Unijunction Transistor, 6uA I(P), | Unijunction Transistor, 12uA I(P), | Unijunction Transistor, 12uA I(P), |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknown | unknown |
配置 | NOT SPECIFIED | SINGLE | SINGLE | NOT SPECIFIED |
最大发射极电流 | 50 mA | 70 mA | 70 mA | 70 mA |
最大基极间电压 | 35 V | 65 V | 65 V | 65 V |
最大本征偏离比 | 0.62 | 0.68 | 0.62 | 0.75 |
最小本征偏离比 | 0.47 | 0.56 | 0.51 | 0.62 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 140 °C | 140 °C | 140 °C | 140 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大峰点电流 | 25 mA | 6 mA | 12 mA | 12 mA |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | 0.45 W | 0.45 W | 0.45 W | 0.45 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大基极间静态电阻 | 9.1 kΩ | 6.8 kΩ | 9.1 kΩ | 9.1 kΩ |
最小基极间静态电阻 | 4.7 kΩ | 4.7 kΩ | 6.2 kΩ | 6.2 kΩ |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
最小谷点电流 | 8 mA | 8 mA | 11 mA | 12 mA |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
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