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AD796AN

产品描述IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小116KB,共4页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
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AD796AN概述

IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier

AD796AN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0000025 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0000025 µA
最小共模抑制比90 dB
标称共模抑制比110 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压500 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.88 mm
低-偏置YES
低-失调NO
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
标称压摆率1 V/us
最大压摆率3 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术FET
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽2000 kHz
最小电压增益100000
宽度7.62 mm

AD796AN相似产品对比

AD796AN AD796BN AD796SQ-883B AD796AR
描述 IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 300 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码 DIP DIP DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0000025 µA 0.000002 µA 0.000005 µA 0.0000025 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0000025 µA 0.000002 µA 0.000005 µA 0.0000025 µA
最小共模抑制比 90 dB 94 dB 90 dB 90 dB
标称共模抑制比 110 dB 110 dB 110 dB 110 dB
频率补偿 YES YES YES YES
最大输入失调电压 500 µV 300 µV 500 µV 500 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
低-偏置 YES YES YES YES
低-失调 NO YES NO NO
负供电电压上限 -18 V -18 V -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V -15 V
功能数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 5.33 mm 5.08 mm 2.59 mm
标称压摆率 1 V/us 1 V/us 1 V/us 1 V/us
最大压摆率 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO YES
技术 FET FET FET FET
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 2000 kHz 2000 kHz 2000 kHz 2000 kHz
最小电压增益 100000 100000 500000 100000
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm
长度 9.88 mm 9.88 mm - 4.9 mm

 
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