IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0000025 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0000025 µA |
最小共模抑制比 | 90 dB |
标称共模抑制比 | 110 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 500 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.88 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
标称压摆率 | 1 V/us |
最大压摆率 | 3 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | FET |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 2000 kHz |
最小电压增益 | 100000 |
宽度 | 7.62 mm |
AD796AN | AD796BN | AD796SQ-883B | AD796AR | |
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描述 | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 300 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC DUAL OP-AMP, 500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Operational Amplifier |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0000025 µA | 0.000002 µA | 0.000005 µA | 0.0000025 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0000025 µA | 0.000002 µA | 0.000005 µA | 0.0000025 µA |
最小共模抑制比 | 90 dB | 94 dB | 90 dB | 90 dB |
标称共模抑制比 | 110 dB | 110 dB | 110 dB | 110 dB |
频率补偿 | YES | YES | YES | YES |
最大输入失调电压 | 500 µV | 300 µV | 500 µV | 500 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-GDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
低-偏置 | YES | YES | YES | YES |
低-失调 | NO | YES | NO | NO |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -55 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | SOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm | 5.33 mm | 5.08 mm | 2.59 mm |
标称压摆率 | 1 V/us | 1 V/us | 1 V/us | 1 V/us |
最大压摆率 | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
技术 | FET | FET | FET | FET |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 2000 kHz | 2000 kHz | 2000 kHz | 2000 kHz |
最小电压增益 | 100000 | 100000 | 500000 | 100000 |
宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 3.9 mm |
长度 | 9.88 mm | 9.88 mm | - | 4.9 mm |
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