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UM9552

产品描述PIN DIODE ATTENUATOR
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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UM9552概述

PIN DIODE ATTENUATOR

UM9552规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW DISTORTION
应用ATTENUATOR
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大二极管电容20 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻0.4 Ω
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码S-XSSO-G1
JESD-609代码e0
少数载流子标称寿命70 µs
元件数量1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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580 Pleasant St.
Watertown, MA 02472
PH: (617) 926-0404
FAX: (617) 924-1235
UM9552
Features
Low Frequency Attenuator
HF/LF Band Operation
Long Lifetime (70
µ
s typ.)
Very Low Distortion (IP3 @ 455 KHz = < 60 dBm)
PIN DIODE
ATTENUATOR
Description
The UM9552 is a very long minority carrier
lifetime (70
µ
s typical) PIN DIODE that has been
developed for low HF or LF Band Attenuator
Applications. They have been evaluated for attenuator
linearity and distortion characteristics in a Bridge Tee
Attenuator Circuit at 455 KHz (the common intermediate
frequency for AM transmitters and receivers). When the
UM9552’s are used as the two variable resistors in the
Bridged Tee Circuit, the Third Order Intermodulation
Products are below -60 dBc with 0 dBm input power
over an attenuation range of 4 dB to 30 dB.
These thicker, longer lifetime PIN diodes exhibit
a more linear forward biased resistance (R
S
) vs forward
bias current (If) relationship, which greatly simplifies the
design of the driver circuits that supply the bias
currents over the specified attenuation range. This task
is simplified if the low attenuation range is truncated
and the few dB are compensated by commercially
available, inexpensive 4 to 6 dB gain blocks.
TYPICAL POWER LEVEL vs FORWARD BIAS CURRENT
40
f1 = F +/- 1 KHz
f2 = F +/- 1 KHz
35
65
70
POWER LEVEL/TONE (dBm)
500KHz
250KHz
150KHz
25
55
20
50
TAU = 0.1 ms
15
1
2
3
4
5
6
7
8
10
If NEEDED TO OBTAIN AN IM3 OF - 60 dBc (mA)
45
Electrical Specifications (25°C)
Test
Diode Resistance R
S
Min.
Typ.
18.0
2.0
.25
15
70
60
Max.
Units
pF
µ
A
µ
s
dBm
Conditions
F = 455 KHz, I
f
= 1 mA
F = 455 KHz, I
f
=10 mA
F = 455 KHz, I
f
= 100 mA
F = 1 MHz, 100 V
V
R
= 50 V
I
f
=10 mA / 100 V
Power in = 0 dBm / Tone
F1 = 454 KHz F2 = 456 KHz
Circuit Drawing #B14433
25°C Stud Temperature
°
Capacitance C
T
Reverse Current I
R
Carrier Lifetime
τ
IP3
0.4
20
10
50
50
Thermal Resistance
1.0
°
C / W
MSCO867B 11-30-98
DSW UM9552 <B>(34943)
IP3 (dBm)
30
60
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