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2N6531-DR6260

产品描述8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小257KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N6531-DR6260概述

8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2N6531-DR6260规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
基于收集器的最大容量200 pF
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值65 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

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