PMBTA92 - PNP high-voltage transistor TO-236 3-Pin
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | PMBTA92 - PNP high-voltage transistor |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
PMBTA92,235 | PMBTA92,215 | |
---|---|---|
描述 | PMBTA92 - PNP high-voltage transistor TO-236 3-Pin | 额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:300V 晶体管类型:PNP |
Brand Name | Nexperia | Nexperia |
零件包装代码 | TO-236 | TO-236 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | SOT23 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 300 V | 300 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 |
JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz | 50 MHz |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved