2N7281R,2N7281R pdf中文资料,2N7281R引脚图,2N7281R电路-Datasheet-电子工程世界

2N7281R: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小40KB，共4页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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2N7281R概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

2N7281R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	25 W
最大功率耗散 (Abs)	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	262 ns
最大开启时间（吨）	104 ns
Base Number Matches	1

2N7281R相似产品对比

	2N7281R	2N7281D	2N7281H
描述	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	2 A	2 A	2 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω	2.5 Ω	2.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	25 W	25 W	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6 A	6 A	6 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	262 ns	262 ns	262 ns
最大开启时间（吨）	104 ns	104 ns	104 ns
Base Number Matches	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A	-	2 A
JESD-609代码	e0	-	e0
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)	25 W	-	25 W
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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