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CD3025B

产品描述Zener Diode, 16V V(Z), 20%, 1W, Silicon, Unidirectional, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD3025B概述

Zener Diode, 16V V(Z), 20%, 1W, Silicon, Unidirectional, DIE-1

CD3025B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIE
包装说明DIE-1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗16 Ω
JESD-30 代码S-XUUC-N1
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量1
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压16 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差20%
工作测试电流15.5 mA

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• 1N3016B THRU 1N3045B AVAILABLE IN
JANHC
PER MIL-PRF-19500/115
• 1 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD3016B
thru
CD3045B
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.2 volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
CDI
TYPE
NUMBER
(NOTE 1)
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ @ 1ZT
(NOTE 2)
VOLTS
CD3016B
CD3017B
CD3018B
CD3019B
CD3020B
CD3021B
CD3022B
CD3023B
CD3024B
CD3025B
CD3026B
CD3027B
CD3028B
CD3029B
CD3030B
CD3031B
CD3032B
CD3033B
CD3034B
CD3035B
CD3036B
CD3037B
CD3038B
CD3039B
CD3040B
CD3041B
CD3042B
CD3043B
CD3044B
CD3045B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
mA
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
ZENER
TEST
CURRENT
1ZT
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
(NOTE 3)
ZZT @ 1ZT
OHMS
3.5
4.0
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
ZZT @ 1ZT
OHMS
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
mA
140
125
115
105
95
85
80
74
63
60
52
47
43
40
34
31
28
26
23
21
19
18
17
15
14
12
11
10
9.0
8.3
MAX. DC
ZENER
CURRENT
1ZM
MAX. REVERSE
LEAKAGE CURRENT
lR @ VR
µ
A
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
VOLTS
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
Backside is Cathode
FIGURE 1
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)..........................Al
Back: (Cathode)......... ..........Au
AL THICKNESS.......
....25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS........4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS.............
.....10 Mils
CIRCUIT LAYOUT DATA:
For Zener operation, cathode
must be operated positive
with respect to anode.
TOLERANCES:
ALL
Dimensions + 2 mils
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
Zener voltage range equals nominal voltage + 5% for “B” Suffix. “A” Suffix denotes + 10%,
No Suffix denotes + 20%, "C" suffix denotes + 2%, "D" suffix denotes + 1%.
Zener voltage is read using a pulse measurement, 10 milliseconds maximum.
Zener impedance is derived by superimposing on 1ZT A 60Hz rms a.c. current equal
to 10% of 1ZT
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

 
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