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2N7301D: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小40KB，共4页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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2N7301D概述

Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

2N7301D规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	46 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	1200 ns
最大开启时间（吨）	950 ns
Base Number Matches	1

2N7301D相似产品对比

	2N7301D	2N7301R	2N7301H
描述	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	46 A	46 A	46 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω	0.07 Ω	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	300 W	300 W	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A	100 A	100 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	1200 ns	1200 ns	1200 ns
最大开启时间（吨）	950 ns	950 ns	950 ns
Base Number Matches	1	1	1
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	46 A	46 A
JESD-609代码	-	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)	-	150 W	150 W
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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