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KMM374S823BTL-GL

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS
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文件大小333KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM374S823BTL-GL概述

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS

KMM374S823BTL-GL规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

KMM374S823BTL-GL相似产品对比

KMM374S823BTL-GL KMM374S823BTL-GH KMM374S823BTL-G8
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72 8MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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