电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MBR2520CT

产品描述30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小816KB,共2页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
下载文档 选型对比 全文预览

MBR2520CT概述

30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

文档预览

下载PDF文档
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MBR2520CT
THRU
MBR2560CT
25 Amp
Schottky
Features
Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton
Guard ring for transient protection
High surge capacity
High Current Capability, High Efficiency
Low Power Loss
Barrier Rectifier
20 to 100 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +175°C
MCC
Catalog
Number
MBR2520CT
MBR2530CT
MBR2535CT
MBR2540CT
MBR2545CT
MBR2560CT
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
35V
40V
45V
60V
Maximum
RMS
Voltage
14V
21V
24.5V
28V
31.5V
42V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
35V
40V
45V
60V
TO-220AB
B
C
K
PIN
1
2
3
L
M
D
A
E
F
G
I
J
N
H H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
2520CT-2540CT
2545CT-2560CT
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
2520CT-2540CT
2545CT-2560CT
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
30 A
150A
T
A
= 130°C
8.3ms, half sine


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
 
V
F
.82V
.75V
I
FM
= 30A;
I
FM
= 15A
T
A
= 25°C
I
R
0.2mA
1mA
C
J
450pF
T
A
= 25°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
INCHES



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.090
.110
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
www.kersemi.com

MBR2520CT相似产品对比

MBR2520CT MBR2540CT MBR2530CT
描述 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
参会赢iPad2!Silicon Labs & EDOM新品巡演及应用技术研讨会,等你来!
2011 Silicon Labs & EDOM新品巡演及应用技术研讨会2011年Silicon Labs&EDOM新品巡演及应用技术研讨会10月隆重登场,为业界带来一场技术盛宴!演讲主题包含Silicon Labs全新多点触控电 ......
EEWORLD社区 模拟电子
Windows CE在指纹传感器设备驱动程序开发中的应用.pdf
Windows CE在指纹传感器设备驱动程序开发中的应用.pdf46980...
yuandayuan6999 单片机
南华大学黄智伟系列--如何设计运算放大器的PCB
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 04:10 编辑 1.考虑了寄生参数的运算放大器电路 一个典型的运算放大器电路如图1(a)所示,考虑了PCB焊盘、通孔和导线、以及元器件分布参数的运算放大器电 ......
小煜 电子竞赛
请推荐时钟分配芯片?
不知道该发哪个版,就发这里了。能将一个时钟复制成多路然后分配给其他需要时钟的芯片。...
dsp_comm 模拟电子
变频器负载匹配办法
生产机械的种类繁多,性能和工艺要求各异,其转矩特性不同,因此应用变频器前首先要搞清楚电动机所带负载的性质,即负载特性,然后再选择变频器和电动机。负载有三种类型:恒转矩负载、风机泵类 ......
dlpowtran 工业自动化与控制
奥普拉在美国斯坦福大学毕业典礼上的演讲
大家都知道,奥普拉是美国著名的电视节目主持人。 过去几周,只要有人问我忙什么?我就说:我准备去斯坦福大学演讲。事实上,我连田纳西州立大学都没有毕业。 其实,这整个世界,我 ......
向农 工作这点儿事

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1335  1742  1747  1368  956  14  47  8  28  30 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved