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MB8S

产品描述0.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小830KB,共2页
制造商Gaomi Xinghe Electronics
官网地址http://www.sddzg.com
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MB8S概述

0.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

0.5 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

MB8S规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压800 V
最大平均输入电流0.5000 A
加工封装描述塑料, MBS-1, 4 PIN
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压800 V
最大非重复峰值正向电流35 A

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星合电子
XINGHE ELECTRONICS
MB1S-MB10S
VOLTAGE RANGE:
50
--- 1000 V
CURRENT: 0.5 A
FEATURES
This series is UL recognized under Component Index,
file number E239431
Glass passivated chip junctions
Plastic materrial has U/L flammability classification
94V-O
High surge overload rating: 35A peak
Saves space on printed circuit boards
High temperature soldering guaranteed:
260°C/10 seconds at 5 lbs. (2.3kg) tension
MBS
4.6
±
0.2
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Polarity symbols marked on body
Dimensions in inches and (millimeters)
Mounting Position: Any
Weight: 0.0078 ounce, 0.22 gram
3.8±0.2
2.5±0.2
0.6±0.1
2.5±0.25
1.0±0.15
6.8±0.2
0.3±0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
MB05S MB1S
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=25
MB2S
MB4S MB6S MB8S MB10S
UNITS
200
140
200
400
280
400
0.5
1)
0.8
2)
35.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 0.4 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
1.2±0.2
MECHANICAL DATA
A
V
F
I
R
C
J
1.0
5.0
0.5
13
V
μA
mA
pF
Typical junction capacitance per leg (NOTE 3)
Typical thermal resistance per leg
(NOTE 1)
(NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
85
20
- 55 ---- +
150
- 55 ---- + 150
/W
NOTES: (1) On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3mm) pads
(2) On aluminum substrate P.C.B. with an area of 0.8" x 0.8" (20 x 20mm) mounted on 0.05 x 0.05" (1.3 x 1.3mm) solder pad
(3) Measured at 1.0 MHz and applied rev erse v oltage of 4.0 Volts
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.    WWW.SDDZG.COM     TEL:0536-2210359       QQ:464768017

MB8S相似产品对比

MB8S MB05S MB10S MB1S MB1S-10S MB2S MB4S MB6S
描述 0.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE MULTICOMP - MB6S - BRIDGE RECTIFIER; Single PHASE; 800mA; 600V; MBS; FULL REEL
状态 DISCONTINUED Active ACTIVE ACTIVE Active ACTIVE TRANSFERRED -
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