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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FSPYE230R3
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FSPYE230R3

产品描述12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB，共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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FSPYE230R3概述

12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3

FSPYE230R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DLCC
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)17 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FSPYE230R3相似产品对比

FSPYE230R3 FSPYE230F4 FSPYE230F3 FSPYE230D1 FSPYE230R4
描述 12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3 12A, 200V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CERAMIC, LCC-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DLCC DLCC DLCC DLCC DLCC
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 17 W 17 W 17 W 17 W 17 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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