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NTHC5513T1

产品描述3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小857KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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NTHC5513T1概述

3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8

NTHC5513T1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明CASE 1206A-03, CHIPFET-8
针数8
制造商包装代码CASE 1206A-03
Reach Compliance Codeunknown
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTHC5513T1相似产品对比

NTHC5513T1 NTHC5513T1G
描述 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 CASE 1206A-03, CHIPFET-8 LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
针数 8 8
制造商包装代码 CASE 1206A-03 CASE 1206A-03
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 3.1 A 3.1 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDSO-C8 R-XDSO-C8
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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