3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
包装说明 | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | CASE 1206A-03 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.1 A |
最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-C8 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
NTHC5513T1 | NTHC5513T1G | |
---|---|---|
描述 | 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
包装说明 | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
针数 | 8 | 8 |
制造商包装代码 | CASE 1206A-03 | CASE 1206A-03 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 3.1 A | 3.1 A |
最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω | 0.08 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-C8 | R-XDSO-C8 |
JESD-609代码 | e0 | e3 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | TIN LEAD | MATTE TIN |
端子形式 | C BEND | C BEND |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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