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MBR20H100CTG

产品描述10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共3页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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MBR20H100CTG在线购买

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MBR20H100CTG概述

10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

10 A, 100 V, 硅, 整流二极管, TO-220AB

MBR20H100CTG规格参数

参数名称属性值
端子数量3
元件数量2
加工封装描述塑料 PACKAGE-3
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
壳体连接CATHODE
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用EFFICIENCY
相数1
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流10 A
最大非重复峰值正向电流150 A

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MBR20H90CTG & MBR20H100CTG
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance
FEATURES
TO-220AB
• Guardring for overvoltage protection
• Lower power losses, high efficiency
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
2
3
MBR20H90CTG
MBR20H100CTG
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
1
• High frequency operation
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching
mode power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc
converters or polarity protection application.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
max.
10 A x 2
90 V, 100 V
150 A
0.70 V
3.5 µA
175 °C
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2
whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
C
= 155 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Peak repetitive reverse current per diode at t
p
= 2 µs, 1 kHz
Voltage rate of change (rated V
R
)
Operating junction and storage temperature range
total device
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
RRM
dV/dt
T
J
, T
STG
MBR20H90CTG
90
90
90
20
10
150
0.5
10 000
- 65 to + 175
MBR20H100CTG
100
100
100
UNIT
V
V
V
A
A
A
V/µs
°C
www.kersemi.com
1

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MBR20H100CTG MBR20H90CTG
描述 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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