Pin Diode, 800V V(BR), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压 | 800 V |
外壳连接 | ANODE |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 1.2 pF |
标称二极管电容 | 1.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
最大二极管正向电阻 | 0.6 Ω |
二极管电阻测试电流 | 100 mA |
二极管电阻测试频率 | 100 MHz |
二极管类型 | PIN DIODE |
JESD-30 代码 | O-CUPM-N1 |
JESD-609代码 | e0 |
少数载流子标称寿命 | 2 µs |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 10 W |
认证状态 | Not Qualified |
反向测试电压 | 100 V |
表面贴装 | NO |
技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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