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WED3EG7234S262D3

产品描述DDR DRAM Module, 32MX72, CMOS, DIMM-184
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文件大小93KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WED3EG7234S262D3概述

DDR DRAM Module, 32MX72, CMOS, DIMM-184

WED3EG7234S262D3规格参数

参数名称属性值
Objectid1820318660
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度2415919104 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

WED3EG7234S262D3相似产品对比

WED3EG7234S262D3 WED3EG7234S265D3 WED3EG7234S202D3
描述 DDR DRAM Module, 32MX72, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX72, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX72, CMOS, DIMM-184
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM,
针数 184 184 184
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 2415919104 bit 2415919104 bit 2415919104 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 184 184 184
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX72 32MX72 32MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - Microsemi Microsemi
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