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MG052S09A200R

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 2 Element, Silicon,
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小38KB,共2页
制造商AVX
标准  
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MG052S09A200R概述

Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 2 Element, Silicon,

MG052S09A200R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称AVX
包装说明SMT,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
电路直流最大电压9 V
电路RMS最大电压6.4 V
最大能量吸收容量0.1 J
安装特点SURFACE MOUNT
端子数量4
封装高度1.02 mm
封装长度1.25 mm
封装形式SMT
封装宽度2.01 mm
包装方法TR
电阻器类型VARISTOR
表面贴装YES
端子位置DUAL IN-LINE
端子形状WRAPAROUND

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Transient Voltage Suppressors
MultiGuard 2-Element TVS Arrays - 0508
ESD Protection for CMOS and Bi-Polar Systems
L
P
S
S
T
BL W
HOW TO ORDER
MG 05 2 S 14 A 300 T
1 2 3 4 5 6 7 8
1
MultiGuard
2
Chip Size:
05=0508
3
Configuration:
2=2 Elements
4
Style:
S=Standard Construction
5
6
L=Low Capacitance
Working Voltage:
05=5.6V
14=14.0V
9=9.0V
18=18.0V
Energy Rating:
A=0.10 Joules X=0.05 Joules
Clamping Voltage:
150=15.5V 400=40.0V
200=20.0V 500=50.0V
300=30.0V
Packaging (Pcs/Reel):
D=1,000
T=10,000
R=4,000
BW
C
L
L
C/L
OF CHIP
Dimensions:
millimeters (inches)
W
T
BW
BL
P
S
2.01±0.2
1.25±0.2 1.02 MAX 0.41±0.1 0.18
+0.25
0.76 REF 0.38±0.1
-0.08
+.
010
(.079±.008) (.049±.008) (.040 MAX) (.016±.004) (.007
-.003
) (.030 REF) (.015±.004)
E
D
7
Pad Layout Dimensions
A
B
1.27
(.050)
8
C
2.16
(.085)
D
0.46
(.018)
E
0.76
(.030)
A
B
C
0.89
(.035)
Electrical Characteristics Per Element
AVX Part Number
Symbol
Units
Test Condition
MG052S05A150
MG052S09A200
MG052S14A300
MG052S18A400
MG052L18X500
*Test Condition = <25µA
Working Voltage
V
WM
Volts
(max.)
<50µA
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
Breakdown Voltage
V
B
Volts
1mA DC
6.8 - 9.3
10.0 - 14.0
14.7 - 20.3
20.4 - 28.0
N/A
Clamping Voltage
V
C
Volts
(max.)
8/20µS†
15.5
20
30
40
50
Peak Current
I
peak
Amp.
(max.)
8/20µs
30
30
30
30
20
Transient Energy
E
trans
Joules
(max.)
10/1000µS
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
Capacitance
C
pF
(typ.)
0.5Vrms @: 1MHz
825
550
425
225
<75
Inductance
L
nH
(typ.)
di/dt = 100mA/nS
<1.0
<1.0
<1.0
<1.0
<1.0
V
WM
—Maximum steady-state DC operating voltage the varistor can maintain and not exceed 50µA leakage current
V
B
—Voltage across the device measured at 1mA DC current
V
C
—Maximum peak voltage across the varistor measured at a specified pulse current and waveform
†Transient Energy Rating
Pulse Current & Waveform
.1 Joule
.05 Joules
2A 8/20µS
1A 8/20µS
I
peak
—Maximum peak current which may be applied with the specified waveform without device failure
E
Trans
—Maximum energy which may be dissipated with the specified waveform without device failure
C—Device capacitance measured with zero volt bias at 0.5Vrms and 1MHz
L—Device inductance measured with a current edge rate of 100mA/nS
Additional information on this product is available from AVX’s catalog or AVX’s FAX Service.
Call 1-800-879-1613 and request document
#104.
Visit our website http://www.avxcorp.com
104
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