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NAND04GR4B2CN1T

产品描述Flash, 256MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
产品类别存储    存储   
文件大小825KB,共57页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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NAND04GR4B2CN1T概述

Flash, 256MX16, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

NAND04GR4B2CN1T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压1.8 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度12 mm

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NAND01G-B, NAND02G-B,
NAND04G-B, NAND08G-B
1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit
2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 8 Gbit memory array
– Up to 64Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 25µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 300µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
CACHE PROGRAM AND CACHE READ
MODES
– Internal Cache Register to improve the
program and read throughputs
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’
– for simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
FBGA
VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm
TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm
DATA PROTECTION
– Hardware and Software Block Locking
– Hardware Program/Erase locked during
Power transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
RoHS COMPLIANCE
– Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
October 2005
1/57
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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