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SEMD12E6327

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SEMD12E6327概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon

SEMD12E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)70
元件数量2
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

SEMD12E6327相似产品对比

SEMD12E6327 SEMD12E6433
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
元件数量 2 2
极性/信道类型 NPN/PNP NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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