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MBR40H50CT

产品描述20 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共3页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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MBR40H50CT概述

20 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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MBR40H35CT thru MBR40H60CT
Features
Dual rectifier construction, positive center tap
Metal silicon junction, majority carrier conduction
Low power loss, high efficiency
Guardring for overvoltage protection
For use in high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
TO-220AB (MBR40HxxCT)
0.398 (10.10)
0.382 (8.70)
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.343 (8.70) Typ.
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
Dia.
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
Mechanical Data
Case:
JEDEC TO-220AB molded plastic body
Terminals:
Plated leads, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
Weight:
0.08oz., 2.24g
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
0.067
(1.70) Typ.
0.331 (8.40) Typ.
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
(3.00) Typ.
PIN
2
3
1.161 (29.48)
1.105 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
PIN 1
PIN 2
CASE
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
PIN 3
0.100
(2.54) Typ.
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 (5.08) Typ.
Dimensions in inches
and (millimeters)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
Maximum Ratings
Parameter
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
MBR40H MBR40H MBR40H MBR40H
Symbol
35CT
45CT
50CT
60CT
V
RRM
V
RWM
V
DC
Total device
Per leg
I
F(AV)
35
35
35
45
45
45
40
20
350
1.0
20
22.5
10,000
–65 to +175
320
50
50
50
60
60
60
Unit
V
V
V
A
Maximum repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
(see fig. 1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load
I
FSM
Per leg
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv/dt
T
J
, T
STG
A
A
mJ
mJ
V/µs
°C
Peak repetitive reverse current per leg at t
p
= 2µs, 1KH
Z
Peak non-repetitive reverse surge energy
(8/20µs waveform)
Non-repetitive avalanche energy
at 25°C, I
AS
= 3.0A, L=5mH
Voltage rate of change (rated V
R
)
Operating junction and storage temperature range
Per leg
Per leg
www.kersemi.com
1

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