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IXFZ21N60

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共8页
制造商IXYS
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IXFZ21N60概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXFZ21N60规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)21 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
表面贴装NO
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