HYM581000P-80概述

Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS

HYM581000P-80规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
包装说明	, SIP30,.2
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	80 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-609代码	e0
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8
端子数量	30
字数	1048576 words
字数代码	1000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SIP30,.2
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	16.51 mm
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.52 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

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HYM581000P-80相似产品对比

	HYM581000P-80	HYM581000P-10	HYM581000P-70	HYM581000P-60
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 60ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	, SIP30,.2	, SIP30,.2	, SIP30,.2	, SIP30,.2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
最长访问时间	80 ns	100 ns	70 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8
端子数量	30	30	30	30
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SIP30,.2	SIP30,.2	SIP30,.2	SIP30,.2
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512
座面最大高度	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.52 mA	0.44 mA	0.6 mA	0.68 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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