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BT258B-500R

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 500 V, SCR
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小145KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BT258B-500R概述

Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 500 V, SCR

BT258B-500R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性SENSITIVE GATE
外壳连接ANODE
标称电路换相断开时间100 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流6 mA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流8 A
重复峰值关态漏电流最大值500 µA
断态重复峰值电压500 V
重复峰值反向电压500 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
触发设备类型SCR

BT258B-500R相似产品对比

BT258B-500R BT258B-800R BT258B-600R
描述 Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 500 V, SCR Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 800 V, SCR Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 600 V, SCR
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 SENSITIVE GATE SENSITIVE GATE SENSITIVE GATE
外壳连接 ANODE ANODE ANODE
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 6 mA 6 mA 6 mA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 8 A 8 A 8 A
重复峰值关态漏电流最大值 500 µA 500 µA 500 µA
断态重复峰值电压 500 V 800 V 600 V
重复峰值反向电压 500 V 800 V 600 V
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
触发设备类型 SCR SCR SCR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -

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