MCM69R737ZP6,MCM69R737ZP6 pdf中文资料,MCM69R737ZP6引脚图,MCM69R737ZP6电路-Datasheet-电子工程世界

MCM69R737ZP6: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小287KB，共20页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MCM69R737ZP6概述

Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

MCM69R737ZP6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	BGA,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.1 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	BICMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

MCM69R737ZP6相似产品对比

	MCM69R737ZP6	MCM69R819ZP8	MCM69R737ZP7	MCM69R737ZP8	MCM69R819ZP7	MCM69R819ZP6
描述	Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Late-Write SRAM, 256KX18, 4ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Late-Write SRAM, 128KX36, 3.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Late-Write SRAM, 128KX36, 4ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Late-Write SRAM, 256KX18, 3.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 256KX18, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	BGA,	BGA,	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	BGA,	BGA,	BGA,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	-
最长访问时间	3 ns	-	3.5 ns	4 ns	3.5 ns	3 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	-	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	-	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	-	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	-	36	36	18	18
功能数量	1	-	1	1	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1
端子数量	119	-	119	119	119	119
字数	131072 words	-	131072 words	131072 words	262144 words	262144 words
字数代码	128000	-	128000	128000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	128KX36	-	128KX36	128KX36	256KX18	256KX18
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	-	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	-	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.1 V	-	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.1 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	BICMOS	-	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	-	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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