Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 2000V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Zarlink Semiconductor (Microsemi) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
标称电路换相断开时间 | 300 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 70 mA |
最大漏电流 | 30 mA |
通态非重复峰值电流 | 6500 A |
最大通态电流 | 562000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
断态重复峰值电压 | 2000 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
DCR604SE20 | DCR604SE17 | DCR604SE18 | DCR604SE19 | DCR604SE21 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 2000V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 1700V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 1800V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 1900V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 562000mA I(T), 2100V V(DRM), |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Zarlink Semiconductor (Microsemi) | Zarlink Semiconductor (Microsemi) | Zarlink Semiconductor (Microsemi) | Zarlink Semiconductor (Microsemi) | Zarlink Semiconductor (Microsemi) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
标称电路换相断开时间 | 300 µs | 300 µs | 300 µs | 300 µs | 300 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us | 1000 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA | 150 mA | 150 mA | 150 mA | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大维持电流 | 70 mA | 70 mA | 70 mA | 70 mA | 70 mA |
最大漏电流 | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
通态非重复峰值电流 | 6500 A | 6500 A | 6500 A | 6500 A | 6500 A |
最大通态电流 | 562000 A | 562000 A | 562000 A | 562000 A | 562000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
断态重复峰值电压 | 2000 V | 1700 V | 1800 V | 1900 V | 2100 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved