Cache SRAM, 4KX10, 13ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | PLASTIC, LCC-44 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 13 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 16.5862 mm |
内存密度 | 40960 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 10 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 4096 words |
字数代码 | 4000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4KX10 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.15 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 16.5862 mm |
MCM62964FN30 | |
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描述 | Cache SRAM, 4KX10, 13ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | PLASTIC, LCC-44 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 13 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 16.5862 mm |
内存密度 | 40960 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 10 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 4096 words |
字数代码 | 4000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
组织 | 4KX10 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.15 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 16.5862 mm |
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