Mixer Diode, Low Barrier, K Band, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | HP（Keysight） |
| 包装说明 | R-LTMW-F3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容 | 0.1 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.375 V |
| 频带 | K BAND |
| JESD-30 代码 | R-LTMW-F3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 脉冲输入最大功率 | 0.15 W |
| 脉冲输入功率最小值 | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | TRIPLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 肖特基势垒类型 | LOW BARRIER |
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