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TS68230ME8

产品描述Analog Waveform Generation Function, MOS, CQCC52,
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小1MB,共23页
制造商Thomson Electron Tubes & Devices Corp
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TS68230ME8概述

Analog Waveform Generation Function, MOS, CQCC52,

TS68230ME8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Thomson Electron Tubes & Devices Corp
包装说明QCCN, LCC52,.75SQ
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码S-XQCC-N52
JESD-609代码e0
端子数量52
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC52,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

TS68230ME8相似产品对比

TS68230ME8 TS68230VE8 TS68230MC8 TS68230CE8
描述 Analog Waveform Generation Function, MOS, CQCC52, Analog Waveform Generation Function, MOS, CQCC52, Analog Waveform Generation Function, MOS, CDIP48, Analog Waveform Generation Function, MOS, CQCC52,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 QCCN, LCC52,.75SQ QCCN, LCC52,.75SQ DIP, DIP48,.6 QCCN, LCC52,.75SQ
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 S-XQCC-N52 S-XQCC-N52 R-XDIP-T48 S-XQCC-N52
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
端子数量 52 52 48 52
最高工作温度 125 °C 85 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -55 °C -
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCN QCCN DIP QCCN
封装等效代码 LCC52,.75SQ LCC52,.75SQ DIP48,.6 LCC52,.75SQ
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO YES
技术 MOS MOS MOS MOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL QUAD
厂商名称 Thomson Electron Tubes & Devices Corp - Thomson Electron Tubes & Devices Corp Thomson Electron Tubes & Devices Corp

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