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2085B

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小333KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2085B概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2085B规格参数

参数名称属性值
Objectid1689285536
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
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