DM2223T-12I,DM2223T-12I pdf中文资料,DM2223T-12I引脚图,DM2223T-12I电路-Datasheet-电子工程世界

DM2223T-12I: 产品描述Cache DRAM, 512KX8, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小251KB，共30页; 制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation); 官网地址http://www.cypress.com/

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DM2223T-12I概述

Cache DRAM, 512KX8, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

DM2223T-12I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP, TSOP44,.36,32
针数	44
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间	30 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP44,.36,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

DM2223T-12I相似产品对比

	DM2223T-12I	DM2233T-15	DM2233T-15I	DM2233T-12	DM2233T-12I	DM2223T-15	DM2223T-15I
描述	Cache DRAM, 512KX8, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	Cache DRAM, 512KX8, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	Cache DRAM, 512KX8, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	EDO DRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44	Cache DRAM, 512KX8, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	Cache DRAM, 512KX8, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	Cache DRAM, 512KX8, 35ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32	TSOP, TSOP44,.36,32
针数	44	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	30 ns	35 ns	35 ns	12 ns	30 ns	35 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE DRAM	CACHE DRAM	CACHE DRAM	EDO DRAM	CACHE DRAM	CACHE DRAM	CACHE DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
端子数量	44	44	44	44	44	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32	TSOP44,.36,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024	1024
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.225 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.225 mA	0.225 mA	0.18 mA	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	MOS	MOS	MOS	CMOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST EDO/STATIC COLUMN	FAST EDO/STATIC COLUMN	FAST EDO/STATIC COLUMN	-	FAST EDO/STATIC COLUMN	FAST EDO/STATIC COLUMN	FAST EDO/STATIC COLUMN
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 1K X 8 SRAM
功能数量	1	1	1	-	1	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1	1
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	-	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	-	4.75 V	4.75 V	4.75 V

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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