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ST300S18M1L

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小68KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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ST300S18M1L概述

Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE

ST300S18M1L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2
Reach Compliance Codecompliant
标称电路换相断开时间100 µs
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
JEDEC-95代码TO-209AE
JESD-30 代码O-MUPM-H2
JESD-609代码e0
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流8000 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流300000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流470 A
重复峰值关态漏电流最大值50000 µA
断态重复峰值电压1800 V
重复峰值反向电压1800 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

ST300S18M1L相似产品对比

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描述 Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE Silicon Controlled Rectifier, 470A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-209AE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown compliant
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
JEDEC-95代码 TO-209AE TO-209AE TO-209AE TO-209AE TO-209AE TO-209AE TO-209AE
JESD-30 代码 O-MUPM-H2 O-MUPM-X2 O-MUPM-X2 O-MUPM-X2 O-MUPM-H2 O-MUPM-H2 O-MUPM-H2
最大漏电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
通态非重复峰值电流 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最大通态电流 300000 A 300000 A 300000 A 300000 A 300000 A 300000 A 300000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 470 A 470 A 470 A 470 A 470 A 470 A 470 A
重复峰值关态漏电流最大值 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA 50000 µA
断态重复峰值电压 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V
重复峰值反向电压 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V 1800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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