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IS61NLF25636-9B

产品描述ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
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文件大小154KB,共20页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61NLF25636-9B概述

ZBT SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

IS61NLF25636-9B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明PLASTIC, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间9 ns
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.41 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
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