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MGF2445-11

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGF2445-11概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

MGF2445-11规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)1.4 A
FET 技术JUNCTION
最高频带KU BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)4.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGF2445-11相似产品对比

MGF2445-11 MGFC2445-T02 MGFC2445-T03
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-12 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-12
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 1.4 A 1.4 A 1.4 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最高频带 KU BAND KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-XUUC-N3 R-XUUC-N3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 4.5 dB 4.5 dB 4.5 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
零件包装代码 - DIE DIE
针数 - 12 12
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