EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDIP8, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Catalyst |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.25 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 9.59 mm |
内存密度 | 1024 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 64 words |
字数代码 | 64 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.00001 A |
最大压摆率 | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 7.62 mm |
写保护 | SOFTWARE |
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