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2N4030

产品描述1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
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2N4030概述

1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39

2N4030规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)100 ns
Base Number Matches1

2N4030相似产品对比

2N4030 2N4029 2N4037 2N4027 2N4028 2N4031 2N4026 BFX30 2N4036
描述 1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 1000mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 BFX30 1000mA, 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli _compli unknow _compli _compli _compli _compli not_compliant _compli
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 0.6 A 1 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 75 50 30 75 30 30 50 20
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 0.5 W 1 W 0.5 W 0.5 W 0.8 W 0.5 W 0.5 W 7 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 - ,
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - -
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V 40 V 80 V 60 V 80 V 60 V - -
JEDEC-95代码 TO-39 TO-18 TO-39 TO-18 TO-18 TO-39 TO-18 - -
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 - -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 - 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 - -
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL - -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND - -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE - -
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - -
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 150 MHz 60 MHz 100 MHz 150 MHz 100 MHz 100 MHz - 60 MHz
最大关闭时间(toff) 400 ns 400 ns - 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns - -
最大开启时间(吨) 100 ns 100 ns - 100 ns 100 ns 100 ns 100 ns - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 -
第3章 电路设计原理 第4章 原理图编辑.
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