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TK14G65W

产品描述Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小241KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK14G65W概述

Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V

TK14G65W规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)194 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (ID)13.7 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)54.8 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TK14G65W相似产品对比

TK14G65W TK14G65W,RQ
描述 Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.7A 栅源极阈值电压:3.5V @ 690uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道
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