4MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7.5ns, PDMA168, MODULE-168
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N168 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 133.35 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 28.7 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.032 A |
| 最大压摆率 | 1.048 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| TM4SN64EPN-10 | TM2SN64EPN-12 | |
|---|---|---|
| 描述 | 4MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7.5ns, PDMA168, MODULE-168 | 2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8ns, PDMA168, MODULE-168 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DMA | DMA |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7.5 ns | 8 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 83.3 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N168 | R-PDMA-N168 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 133.35 mm | 133.35 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 168 |
| 字数 | 4194304 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 4000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX64 | 2MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 28.7 mm | 28.7 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 最大待机电流 | 0.032 A | 0.016 A |
| 最大压摆率 | 1.048 mA | 1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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