Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 16 A |
最大漏源导通电阻 | 0.24 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 428 ns |
最大开启时间(吨) | 316 ns |
Base Number Matches | 1 |
2N7285D | 2N7285H | 2N7285R | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | RADIATION HARDENED | RADIATION HARDENED | RADIATION HARDENED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 16 A | 16 A | 16 A |
最大漏源导通电阻 | 0.24 Ω | 0.24 Ω | 0.24 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA | TO-204AA | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 125 W | 125 W | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 48 A | 48 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 428 ns | 428 ns | 428 ns |
最大开启时间(吨) | 316 ns | 316 ns | 316 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 16 A | 16 A |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | - | 125 W | 125 W |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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