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2N7285D

产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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2N7285D概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

2N7285D规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)428 ns
最大开启时间(吨)316 ns
Base Number Matches1

2N7285D相似产品对比

2N7285D 2N7285H 2N7285R
描述 Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 16 A 16 A 16 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.24 Ω 0.24 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 428 ns 428 ns 428 ns
最大开启时间(吨) 316 ns 316 ns 316 ns
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 16 A 16 A
JESD-609代码 - e0 e0
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs) - 125 W 125 W
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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