RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 包装说明 | MICROWAVE, X-CXMW-F4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE |
| FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.03 pF |
| 最高频带 | KA BAND |
| JESD-30 代码 | X-CXMW-F4 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp) | 10 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Gold (Au) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| MWT-LP773 | MWT-LP770 | MWT-LP7 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3 |
| 厂商名称 | IXYS | IXYS | IXYS |
| 包装说明 | MICROWAVE, X-CXMW-F4 | MICROWAVE, S-CQMW-F4 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.03 pF | 0.03 pF | 0.03 pF |
| 最高频带 | KA BAND | KA BAND | KA BAND |
| JESD-30 代码 | X-CXMW-F4 | S-CQMW-F4 | R-XUUC-N3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 3 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | UNSPECIFIED | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROWAVE | MICROWAVE | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp) | 10 dB | 10 dB | 10 dB |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | NO LEAD |
| 端子位置 | UNSPECIFIED | QUAD | UPPER |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - |
| 湿度敏感等级 | 2 | 1 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 端子面层 | Gold (Au) | Gold (Au) | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 针数 | - | 4 | 3 |
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