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MWT-A971LN

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小302KB,共7页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-A971LN概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

MWT-A971LN规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)0.1 pF
最高频带KU BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)8.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-A971LN相似产品对比

MWT-A971LN MWT-A970LN MWT-A973LN MWT-A9LN
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, NULL TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 MICROWAVE, S-CQMW-F4 DISK BUTTON, O-PRDB-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 0.1 pF 0.1 pF 0.1 pF 0.1 pF
最高频带 KU BAND KU BAND KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 S-CQMW-F4 O-PRDB-F4 R-XUUC-N4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR SQUARE ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT MICROWAVE DISK BUTTON UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 8.5 dB 8.5 dB 8.5 dB 8.5 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT NO LEAD
端子位置 DUAL QUAD RADIAL UPPER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
厂商名称 Microwave_Technology_Inc. - Microwave_Technology_Inc. Microwave_Technology_Inc.
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
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