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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHM9230U
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IRHM9230U

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB，共4页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRHM9230U概述

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRHM9230U规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）330 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.92 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)26 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHM9230U相似产品对比

IRHM9230U IRHM9230PBF IRHM9230DPBF IRHM9230D IRHM9230UPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 6.5 A 6.5 A 6.5 A 6.5 A 6.5 A
最大漏源导通电阻 0.92 Ω 0.8 Ω 0.92 Ω 0.92 Ω 0.92 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
雪崩能效等级（Eas） 330 mJ - 330 mJ 330 mJ 330 mJ
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大脉冲漏极电流 (IDM) 26 A - 26 A 26 A 26 A

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