Standard SRAM, 16KX1, 40ns, MOS, CQCC20,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Inmos Corporation |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 40 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.3X.43 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| IMS1400N-45M | IMS1400S-55M | IMS1400S-70M | IMS1400N-55M | IMS1400N-70M | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 16KX1, 40ns, MOS, CQCC20, | Standard SRAM, 16KX1, 50ns, MOS, CDIP20, | Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CDIP20, | Standard SRAM, 16KX1, 50ns, MOS, CQCC20, | Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CQCC20, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Inmos Corporation | Inmos Corporation | Inmos Corporation | Inmos Corporation | Inmos Corporation |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 40 ns | 50 ns | 65 ns | 50 ns | 65 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N20 | R-XDIP-T20 | R-XDIP-T20 | R-XQCC-N20 | R-XQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 16KX1 | 16KX1 | 16KX1 | 16KX1 | 16KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.3X.43 | DIP20,.3 | DIP20,.3 | LCC20,.3X.43 | LCC20,.3X.43 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD |
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