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UPA895TS-FB-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共7页
制造商NEC(日电)
标准  
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UPA895TS-FB-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

UPA895TS-FB-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
Objectid1814797275
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id5446807
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.8 pF
集电极-发射极最大电压5.5 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6500 MHz

UPA895TS-FB-A相似产品对比

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描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF 0.8 pF
集电极-发射极最大电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 6500 MHz 6500 MHz 6500 MHz 6500 MHz 6500 MHz 6500 MHz
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 - 不符合
JESD-609代码 e6 e6 e0 e0 - e0
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - - AMPLIFIER
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

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