Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-213AA,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Bkc Semiconductors Inc |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-213AA |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 2 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向电流 | 0.025 µA |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
LL5195 | LL5194 | LL5196 | |
---|---|---|---|
描述 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-213AA, | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, DO-213AA, | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-213AA, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Bkc Semiconductors Inc | Bkc Semiconductors Inc | Bkc Semiconductors Inc |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE CURRENT | LOW LEAKAGE CURRENT |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-213AA | DO-213AA | DO-213AA |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 2 A | 2 A | 2 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
最大输出电流 | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
封装主体材料 | GLASS | GLASS | GLASS |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.5 W | 0.5 W | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 80 V | 250 V |
最大反向电流 | 0.025 µA | 0.025 µA | 0.025 µA |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
端子位置 | END | END | END |
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