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S-2911I01

产品描述EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小218KB,共10页
制造商ABLIC
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S-2911I01概述

EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8

S-2911I01规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ABLIC
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性DATA RETENTION = 10 YEARS; 10000 ERASE/WRITE CYCLES
备用内存宽度16
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.1 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.5 mm
串行总线类型4-WIRE
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE

S-2911I01相似产品对比

S-2911I01 S-2911I10
描述 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ABLIC ABLIC
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 DATA RETENTION = 10 YEARS; 10000 ERASE/WRITE CYCLES DATA RETENTION = 10 YEARS; 100000 ERASE/WRITE CYCLES
备用内存宽度 16 16
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 10 10
耐久性 10000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0
长度 9.1 mm 9.1 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 128 words 128 words
字数代码 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.5 mm 4.5 mm
串行总线类型 4-WIRE 4-WIRE
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.004 mA 0.004 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE

 
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