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W29EE512P-70-TR

产品描述Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小292KB,共25页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

W29EE512P-70-TR概述

Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

W29EE512P-70-TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; 1K PROGRAM/ERASE CYCLE
数据保留时间-最小值10
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压5 V
座面最大高度3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

W29EE512P-70-TR相似产品对比

W29EE512P-70-TR W29EE512P70Z W29EE512P90Z W29EE512P-90-TR
描述 Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Flash, 64KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 Flash, 64KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子) Winbond(华邦电子)
零件包装代码 QFJ QFJ QFJ QFJ
包装说明 QCCJ, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 QCCJ,
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns 90 ns 90 ns
JESD-30 代码 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32
长度 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm 13.97 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 250 245 NOT SPECIFIED
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
座面最大高度 3.56 mm 3.56 mm 3.56 mm 3.56 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm 11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
JESD-609代码 e0 - e3 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
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