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SB10150

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, LEAD FREE PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小447KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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SB10150概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, LEAD FREE PACKAGE-2

SB10150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明LEAD FREE PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SB10150
Technical Data
Data Sheet N0884, Rev. B
SB10150 SCHOTTKY RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
High Current Capability
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Current Capability
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,
Free Wheeling, and Polarity Protection Applications
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
DO-201AD
Circuit Diagram
Applications
Switching power supply
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Disk drives
Battery charging
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @T
A
=75°C,
rectangular wave form
8.3 ms, half Sine pulse, T
C
=25°C
Max.
150
10
200
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop*
Reverse Current*
Junction Capacitance
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
Symbol
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
Condition
@ 10A, Pulse, T
J
= 25 °C
@ 10A, Pulse, T
J
= 125 °C
@V
R
= Rated V
R
, Pulse, T
J
= 25 °C
@V
R
= Rated V
R
, Pulse, T
J
= 125 °C
@V
R
= 5V, T
C
= 25
C,
f
SIG
= 1MHz
Typ.
0.83
0.70
0.0004
0.2
180
Max.
1.05
0.90
1
7.0
300
Units
V
V
mA
mA
pF
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

 
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