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D1017UK.02

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DM, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小225KB,共5页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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D1017UK.02概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DM, 4 PIN

D1017UK.02规格参数

参数名称属性值
厂商名称TT Electronics plc
包装说明DM, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压70 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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