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SIH530S-E3

产品描述TRANSISTOR POWER, FET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIH530S-E3概述

TRANSISTOR POWER, FET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

SIH530S-E3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3/2
制造商包装代码SOP-220
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)125 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.2 A
最大漏极电流 (ID)5.2 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SIH530S-E3相似产品对比

SIH530S-E3 SIH530STR
描述 TRANSISTOR POWER, FET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR POWER, FET, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3/2 220
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 125 mJ 125 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.2 A 5.2 A
最大漏极电流 (ID) 5.2 A 5.2 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A 21 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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